IGBT란...

IGBT는 Insulated Gate Bipolar Transistor의 약어로서 1980년에 미국의

B. J. Baliga라는 사람에 의해 제안되어진 소자입니다.

(실제로는 1979년에 나왔습니다.)

 

MOSFET와 Bipolar transistor의 장점만을 취할 수 있도록 되어 있는

IGBT의 해석에는 일반적으로 MOSFET + Diode model과 MOSFET + BJT model

두가지가 많이 사용됩니다.

 

어떤 모델을 사용하든 관계는 없지만 MOSFET + BJT model이 비교적

정확한 편입니다.

(그렇다고 크게 차이가 나지는 않습니다. 좀더 정확한 값을 얻을 수 있다는 겁니다.)

 

IGBT가 탄생된 이유는 실제로는 MOSFET를 대체하기 위해서라고 할 수 있습니다.

MOSFET의 경우 one-type carrier (electron or hole) 소자이기 때문에 항복전압을

높이거나 전류량을 높이는데 한계가 있었습니다.

 

때문에 IGBT는 MOSFET의 이러한 단점을 보완하고 높은 항복전압과 전류를

얻고자 하는 취지에서 개발되었습니다.

하지만 이런 IGBT에도 단점은 있습니다.

바로 속도가 MOSFET에 비해 느리다는 것입니다.

 

실제로 IGBT는 electron가 hole의 두가지 carrier를 모두 사용하게 되는데

이로인해 turn-off시간이 MOSFET에 비해 길다는 단점이 있습니다.

최근에는 고속 IGBT를 만들기 위해 많은 연구가 진행되고 있으나

아직까지 IGBT의 switching frequency는 100kHz 이하인 것이 대부분입니다.

 

현재 생산 판매중인 IGBT의 용량은 대부분 600V, 1200V 정도의 항복전압에

전류용량은 10A내외의 것이 많습니다.

주로 Inverter에 많이 사용되고 있으며 최근에는 자동차의 injection coil driver 나

PDP 구동 driver에 적용되고 있기도 합니다.

 

전세계적으로 IGBT를 생산하고 있는 회사는 많습니다만 대략 ABB, On-semiconductor

Fairchild, Infineon, IR, Philips등이 대부분의 시장을 장악하고 있습니다.

이상입니다.

 더 궁금한 점이 있으시면 쪽지 주시기 바랍니다.

그럼 이만..